1. Pārskats par silīcija bāzes gaismas diožu pašreizējo vispārējo tehnoloģisko stāvokli

GaN materiālu augšana uz silīcija substrātiem saskaras ar divām galvenajām tehniskām problēmām.Pirmkārt, režģa neatbilstība līdz 17% starp silīcija substrātu un GaN rada lielāku dislokācijas blīvumu GaN materiāla iekšienē, kas ietekmē luminiscences efektivitāti;Otrkārt, starp silīcija substrātu un GaN ir termiskā neatbilstība līdz 54%, kas padara GaN plēves pakļautas plaisāšanai pēc augšanas augstā temperatūrā un nokrišanas līdz istabas temperatūrai, ietekmējot ražošanas ražu.Tāpēc bufera slāņa augšana starp silīcija substrātu un GaN plāno plēvi ir ārkārtīgi svarīga.Bufera slānim ir nozīme dislokācijas blīvuma samazināšanā GaN iekšienē un GaN plaisāšanas mazināšanā.Lielā mērā bufera slāņa tehniskais līmenis nosaka LED iekšējo kvantu efektivitāti un ražošanas ienesīgumu, kas ir uz silīcija bāzes radītā uzmanība un grūtības.LED.Šobrīd ar ievērojamām investīcijām pētniecībā un attīstībā gan no nozares, gan akadēmiskajām aprindām, šis tehnoloģiskais izaicinājums būtībā ir pārvarēts.

Silīcija substrāts spēcīgi absorbē redzamo gaismu, tāpēc GaN plēve ir jāpārnes uz citu substrātu.Pirms pārsūtīšanas starp GaN plēvi un otru substrātu ievieto augstas atstarošanās spējas atstarotāju, lai novērstu GaN izstarotās gaismas absorbciju substrātā.LED struktūra pēc substrāta pārvietošanas nozarē ir pazīstama kā Thin Film mikroshēma.Plānās plēves mikroshēmām ir priekšrocības salīdzinājumā ar tradicionālajām formālās struktūras mikroshēmām strāvas difūzijas, siltumvadītspējas un plankumu viendabīguma ziņā.

2. Pārskats par pašreizējo vispārējo pielietojuma statusu un silīcija substrāta gaismas diožu tirgus pārskatu

Silikona bāzes gaismas diodēm ir vertikāla struktūra, vienmērīgs strāvas sadalījums un ātra difūzija, tāpēc tās ir piemērotas lieljaudas lietojumiem.Pateicoties vienpusējai gaismas jaudai, labajai virzienam un labajai gaismas kvalitātei, tas ir īpaši piemērots mobilajam apgaismojumam, piemēram, automašīnu apgaismojumam, prožektoriem, kalnrūpniecības lampām, mobilo tālruņu zibspuldzēm un augstākās klases apgaismojuma laukiem ar augstām gaismas kvalitātes prasībām. .

Jingneng Optoelectronics silīcija substrāta LED tehnoloģija un process ir nobriedis.Turpinot saglabāt vadošās priekšrocības silīcija substrāta zilās gaismas LED mikroshēmu jomā, mūsu produkti turpina paplašināties apgaismojuma jomās, kurās nepieciešama virziena gaisma un augstas kvalitātes izvade, piemēram, baltas gaismas LED mikroshēmas ar lielāku veiktspēju un pievienoto vērtību. , LED mobilo tālruņu zibspuldzes, LED automašīnu priekšējie lukturi, LED ielu apgaismojums, LED fona apgaismojums utt., pakāpeniski izveidojot silīcija substrāta LED mikroshēmu izdevīgo stāvokli segmentētajā nozarē.

3. Silīcija substrāta LED attīstības tendenču prognozēšana

Gaismas efektivitātes uzlabošana, izmaksu samazināšana vai rentabilitāte ir mūžīga tēmaLED nozare.Silīcija substrāta plānās plēves mikroshēmas ir jāiepako pirms to uzklāšanas, un iepakošanas izmaksas veido lielu daļu no LED uzklāšanas izmaksām.Izlaidiet tradicionālo iepakošanu un tieši iesaiņojiet komponentus uz vafeles.Citiem vārdiem sakot, mikroshēmas mēroga iepakojums (CSP) uz vafeles var izlaist iepakojuma galu un tieši iekļūt lietojumprogrammas galā no mikroshēmas gala, vēl vairāk samazinot LED lietošanas izmaksas.CSP ir viena no perspektīvām uz GaN balstītām silīcija gaismas diodēm.Starptautiskie uzņēmumi, piemēram, Toshiba un Samsung, ir ziņojuši, ka CSP izmanto silīcija bāzes gaismas diodes, un tiek uzskatīts, ka saistītie produkti drīz būs pieejami tirgū.

Pēdējos gados vēl viens karstais punkts LED nozarē ir Micro LED, kas pazīstams arī kā mikrometra līmeņa LED.Micro LED izmērs svārstās no dažiem mikrometriem līdz desmitiem mikrometru, gandrīz tādā pašā līmenī kā GaN plāno plēvju biezums, kas audzēts ar epitaksiju.Mikrometru mērogā GaN materiālus var tieši izgatavot par vertikāli strukturētu GaNLED bez atbalsta.Proti, Micro LED sagatavošanas procesā ir jānoņem substrāts GaN audzēšanai.Silīcija bāzes gaismas diožu dabiska priekšrocība ir tā, ka silīcija substrātu var noņemt tikai ar ķīmisku mitro kodināšanu, bez jebkādas ietekmes uz GaN materiālu noņemšanas procesā, nodrošinot ražīgumu un uzticamību.No šī viedokļa silīcija substrāta LED tehnoloģijai noteikti būs vieta mikro LED jomā.